SI7374DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流（ID）能力，最大漏源电压（VDSS）为30V，导通电阻（RDS(ON)）低至4.7毫欧，在栅源电压（VGS）最高达20V时仍能稳定工作。其低导通电阻有助于减少功率损耗和温升，适合用于高效率电源模块、电池供电设备、电机驱动及高频开关电路等场合，能够有效支持大电流负载下的可靠运行。
