STL56N3LLH5-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备50A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为6.5毫欧，栅源驱动电压（VGS）额定值为20V。低导通电阻有效降低导通损耗，提升系统效率，适用于高电流、高频率的开关应用场景。其电气特性适合用于电源转换、电机控制、电池管理系统及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够在紧凑布局下维持良好的热稳定性和可靠性。
