MJF11N65_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备15A的连续漏极电流能力，漏源击穿电压为650V，导通电阻为260mΩ，栅源电压工作范围为-5V至!6V。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关应用中表现出较低的开关损耗和良好的热稳定性，适用于高效率电源、光伏逆变系统及小型化电力转换装置。其宽栅压范围有助于提升驱动电路的适配灵活性。
