FDMC0310AS-F127-L701-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为4mΩ，能够在低电压驱动条件下实现高效导通。其低导通阻抗有助于显著降低导通损耗，提升整体能效，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源转换、同步整流及高频率开关电路等应用场合。
