AMR448N-CT-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:120A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:3.6mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备120A的连续漏极电流和100V的漏源电压额定值，导通电阻仅为3.6毫欧。低RDS(ON)有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体效率。器件适用于高电流、高频率的电源转换场合，能够在紧凑布局中维持良好的热性能与电气稳定性，适合用于对能效和空间有较高要求的电子系统中的功率开关功能。
