NTMFS5H431NLT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有130A的连续漏极电流（ID）、40V的漏源击穿电压（VDSS）以及2.8毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其极低的导通电阻有助于显著减少导通损耗，在高电流工作条件下维持较低温升。适用于大电流开关电源、电机驱动、电池充放电控制及高效功率转换等场合，能够在高频开关操作中保持良好的电气性能和热稳定性。
