BSC070N10NS3GATMA1_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至6.4毫欧。器件采用标准封装结构，适用于高效率电源转换、电机驱动及各类开关应用场合。其低导通电阻有助于减少导通损耗，提升系统整体能效，同时支持大电流工作条件下的稳定运行。该MOSFET在高频开关环境中表现出良好的动态特性，适合对功率密度和热管理有较高要求的电子系统。
