SI7792DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS），连续漏极电流（ID）高达150A，导通电阻（RDS(ON)）仅为1.4毫欧，栅源电压（VGS）最大额定值为20V。其极低的导通电阻有效降低导通损耗，适用于大电流电源管理、高效率DC-DC转换器以及对热性能和能效要求严苛的电子系统。器件支持快速开关动作，在高频工作条件下仍能保持良好性能。
