DMTH10H009LPS-13-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:6.4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有75A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为100V，导通电阻仅为6.4毫欧。低导通电阻有效降低导通状态下的功率损耗，提升整体能效。器件适用于高效率电源转换、电机驱动以及高频开关电路等场合，在大电流工作条件下仍能保持良好的热稳定性和开关性能，满足对紧凑布局和高功率密度有要求的电子系统设计需求。
