NVMFS4C03NWFET1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及仅1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)），在栅源电压（VGS）为20V时可实现极低的导通损耗。其超低阻抗特性显著减少功率耗散，适用于对效率和热性能要求严苛的大电流开关场景，如高性能电源转换、电机控制及高密度功率模块等应用。
