NVMFS5C450NAFT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:130A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:2.8mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备130A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）仅为2.8毫欧。如此低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适合在高电流、高效率要求的电源转换和开关应用中使用。其电气特性支持快速开关操作，适用于对热性能和能效有较高要求的电子系统，如大功率电源模块、电池管理系统及高效电机控制等场景。
