MCAC75N06Y-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:100A 参数2：VDSS:60V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有100A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至3.7毫欧。其极低的导通电阻有效降低了导通状态下的功率损耗，适用于高电流、高效率要求的电源管理、电机驱动、不间断电源及大功率开关电路等应用场合。器件在大电流工作条件下仍能保持较低温升，有助于提升系统整体能效与可靠性。
