SISA34DN-T1-GE3-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道MOSFET具有30V的漏源击穿电压（VDSS）和40A的连续漏极电流（ID），在驱动电压条件下导通电阻（RDS(ON)）低至5毫欧。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于大功率电源转换、电池管理系统及高效率开关电路等场合。器件在高频工作状态下仍能保持较低的温升，有助于提升系统整体能效，并满足对紧凑布局和散热性能要求较高的电子设备需求。
