MSJU11N65-TP_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和15A的额定漏极电流（ID），导通电阻（RDON）为260mΩ，在高温与高电压工况下仍能保持优异的导电性能。栅源电压范围-5V至!6V，支持可靠驱动与稳定开关操作。基于碳化硅材料的高热导率与耐压特性，该器件适用于高频率、高效率的电力转换系统，如高效电源适配器、储能系统中的能量变换模块、直流电源供应单元及新能源发电中的功率调节装置，适合对功率密度和系统效率有严苛要求的应用场景。
