TPA65R260M_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为20A，漏源电压耐受能力达650V，导通电阻为160mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。器件基于碳化硅材料，具备低开关损耗与高工作结温特性，适用于高频开关电源、光伏逆变器及高效率电能转换系统等场景，在提升系统效率和功率密度方面具有显著优势。
