WML15N65C4_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为260mΩ，在栅源电压范围-5V至!6V内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低RDS(ON)有助于减小导通功耗，提升系统整体能效，同时宽VGS范围增强了驱动兼容性与控制灵活性。
