NVTFS4C13NWFTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:35A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有35A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）以及7.5毫欧的导通电阻（RDS(ON)）。其参数组合适合中等功率的开关应用，在导通损耗与成本之间取得良好平衡。器件可应用于高效率电源模块、电池供电设备及各类需要紧凑布局的电力电子电路中，适用于对热管理和空间占用有一定要求的场合。
