DI032N03PTK-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备60A的连续漏极电流和30V的漏源击穿电压，导通电阻典型值为4毫欧，适用于高效率功率转换场合。其低导通电阻有效降低导通损耗，在大电流工作条件下仍能维持较低温升。器件支持标准逻辑电平驱动，适合用于开关电源、电池管理系统、电动工具及各类需要高效能功率开关的电子设备中，能够满足对紧凑布局与热性能要求较高的设计需求。
