STF11N65K3-HXY_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:5.1A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:820mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和5.1A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）为820mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于需要高耐压与中等电流能力的电力电子场合。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，在高频、高效率的电源转换系统中可实现更低的导通与开关损耗。由于其宽电压驱动能力，便于与多种驱动电路兼容，适合对能效和热管理有较高要求的应用场景。
