PJMD390N65EC_L2_00001_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-5~+16V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有15A的漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为260mΩ，栅源驱动电压范围为-5V至!6V。其碳化硅材料特性支持高频开关操作，在高效率电源转换、服务器电源、光伏逆变及储能系统等应用中可显著降低导通与开关损耗，同时提升系统功率密度与热管理性能。
