SI4420BDY-T1-GE3-HXY_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：ID:15A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有15A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻为7.5毫欧。其适中的电流承载能力和较低的导通损耗，使其适用于中等功率的开关应用。在需要高效能与紧凑布局的电子系统中，如便携式设备电源管理、小型电机驱动及直流-直流转换电路中，能够提供稳定可靠的性能表现。
