GC11N65D5_DFN5X6-8L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:13A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:260mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET额定漏极电流为13A，漏源击穿电压达650V，导通电阻典型值为260mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压与低导通损耗特性，适用于对效率和热性能要求较高的电力转换场景。其宽栅压范围增强了驱动兼容性，同时N沟道结构便于实现高效开关控制，在高频运行条件下仍能保持稳定性能。
