STD11N65M2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:10.2A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:550mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的漏源击穿电压（VDSS）为800V，连续漏极电流（ID）达10.2A，导通电阻（RDS(on)）为550mΩ。栅源电压（VGS）工作范围为-8V至@0V，支持宽范围驱动条件并具备良好的栅极可靠性。基于碳化硅材料特性，器件在高频开关过程中表现出较低的开关损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、可再生能源系统及对体积与能效有较高要求的电力电子设备中。
