RS1E300GNTB-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有150A的连续漏极电流（ID）、30V的漏源击穿电压（VDSS）、1.4mΩ的导通电阻（RDS(ON)）以及20V的最大栅源电压（VGS）。其极低的导通电阻显著降低导通损耗，适用于大电流、高效率要求的电源管理与功率转换场景。器件在高负载条件下具备良好的热稳定性和开关响应能力，适合用于对功率密度和能效有严格要求的电子系统中，如高性能计算设备、服务器电源及大功率电机驱动等应用。
