RS1E301GNTB1-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:150A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:1.4mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET支持150A的连续漏极电流，最大漏源电压为30V，导通电阻低至1.4毫欧，栅源电压额定值为20V。其超低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在大电流应用中保持较高的能效和较低的温升。适用于高效率电源转换、电池充放电控制、电动工具驱动以及对功率处理能力和热性能有较高要求的电子系统。
