MCAC8D3N10YH-TP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:75A 参数2：VDSS:100V 参数3：RDON:7.3mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有75A的连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下提供低至7.3毫欧的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提升系统效率，适用于对高电流承载能力和电压耐受性有明确要求的电源管理、电机驱动及开关转换等应用场景。器件结构设计兼顾了开关速度与热稳定性，适合在高频或高负载条件下稳定运行。
