TK14E65W,S1X(S_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有20A的漏极电流能力，漏源击穿电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高温稳定性，适用于高频、高效率的电源转换系统。其较宽的栅极驱动电压范围有助于提升驱动电路的适应性，并在持续高负载条件下维持稳定的开关特性。
