TPP65R280D_TO-220C_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:20A 参数2：VDSS:800V 参数3：RDON:165mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的额定漏极电流ID为20A，漏源电压VDSS为800V，导通电阻RDS(ON)为165mΩ，栅源电压VGS范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高电压应用中表现出较低的导通损耗和良好的热稳定性。其结构支持高频开关操作，适用于对效率、体积和散热有较高要求的电源系统，宽栅压范围也提升了与不同驱动电路的兼容性。
