FDD6676S-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备80A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为30V，导通电阻低至5毫欧。其低RDS(on)有助于显著降低导通损耗，在大电流工作条件下维持较高的能效和较低的温升。适用于高功率密度的电源转换系统、高效电机驱动以及对热性能和空间布局有严格要求的电子设备中。
