TSM060N03PQ33_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:40A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:5mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备40A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为5毫欧。低导通电阻有助于在高电流工作条件下有效降低功率损耗，提升整体能效。器件适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统，如直流-直流变换器、电池供电设备及各类高频率开关电路，能够在紧凑布局中维持稳定可靠的性能表现。
