NVMFS5C426NAFT3G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:219A 参数2：VDSS:40V 参数3：RDON:1.2mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有219A的连续漏极电流（ID）和40V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）低至1.2毫欧，在栅源电压（VGS）为20V时可实现高效导通。其高电流承载能力与极低导通损耗特性，适用于对功率密度和能效要求较高的电源转换、电机驱动及高频率开关应用场景，能够有效提升系统整体效率并减少热损耗。
