NTMFS4C029NT3G_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:80A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:4.7mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具有80A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），在导通状态下展现出低至4.7毫欧的导通电阻（RDS(ON)），栅源驱动电压（VGS）最高可达20V。器件适用于对导通损耗敏感的高效率电源转换场合，其低阻抗特性有助于减少发热并提升系统整体能效。由于具备较高的电流承载能力和稳定的电气参数，可广泛用于各类开关电源、电池管理系统及功率控制模块中。
