2SK4080-ZK-E1-AY-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:60A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:7mR 参数4：TYPE:N-ch 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具备60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），导通电阻（RDS(ON)）为7毫欧，适用于中高电流开关应用。在栅源电压范围内可实现高效导通，有效降低功率损耗。其电气特性适合用于电源转换、电池管理系统、电机控制及各类需要高效率与紧凑布局的电子设备中，能够支持快速开关操作并维持良好的热稳定性。
