TK3A65D(STA4,Q,M)_TO-220F_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220F 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：ID:3.9A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:1555mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）、3.9A的连续漏极电流（ID）和1555mΩ的导通电阻（RDS(on)），栅源电压范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中表现出较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源、小型化适配器以及对热管理要求较高的电力电子系统。
