STD11N60DM2-HXY_TO-252-2L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:9.3A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:410mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有650V的漏源击穿电压（VDSS）和9.3A的连续漏极电流（ID），在25℃条件下导通电阻（RDS(on)）为410mΩ。其栅源电压范围为-8V至@0V，适用于需要高效率与高耐压能力的功率转换场景。器件采用碳化硅材料，具备优异的高温稳定性和开关性能，适合用于对能效和体积有较高要求的电源管理系统中。
