FDMS8690_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：ID:50A 参数2：VDSS:30V 参数3：RDON:6.5mR 参数4：VGS:20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道MOSFET具备30V的漏源击穿电压（VDSS）和50A的连续漏极电流（ID），导通电阻（RDS(ON)）典型值为6.5毫欧，栅源电压（VGS）额定范围达±20V。其低导通电阻有助于显著降低导通损耗，在高电流工作条件下仍能维持良好的热稳定性。适用于对功率密度和效率有较高要求的开关电源、电机控制、电池管理系统及各类高效能电子设备中的功率转换与开关电路。
