SIHG61N65EF-GE3-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有55A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为58mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备优异的高频开关性能和较低的导通损耗，在高效率电源转换、可再生能源系统及高功率密度电源模块中可发挥重要作用。其宽栅压范围提升了驱动电路的设计灵活性，同时低RDS(on)有助于减少发热，提升系统整体稳定性与能效表现。
