IMW65R020M2HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达108A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至20mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出色，适用于对开关速度与能效要求较高的电源系统，可有效降低导通与开关损耗，提升整体运行效率与热管理性能。
