G3F45MT06L-TR-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:63A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备63A的漏极电流能力与650V的漏源耐压，导通电阻为58mΩ，可在栅源电压-10V至@5V范围内正常工作。其结构利用碳化硅材料优势，在高频开关条件下保持较低的导通与开关损耗，适用于高效率电源系统、可再生能源转换装置及各类紧凑型电力电子设备。低RDS(on)有助于减少发热，提升长时间运行的稳定性，宽VGS范围则增强了与不同驱动电路的适配能力。
