IMT65R026M2HXUMA1-HXY_TOLLS_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TOLLS 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2000/圆盘 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻低至26mΩ，适用于高效率功率转换场景。其栅源电压范围为-10V至@5V，确保在多种驱动条件下稳定工作。器件凭借碳化硅材料的优异特性，在高频、高温环境下仍能保持较低的开关损耗与导通损耗，适合对能效和热管理要求较高的电力电子系统。
