IMZA65R027M1HXKSA1_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻低至26mΩ，在栅源驱动电压范围-10V至@5V内稳定工作。凭借碳化硅材料的优异特性，器件在高频、高温环境下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其电气参数组合使其在高电压、大电流应用场景中具备良好的动态响应与热稳定性。
