TW123V65C,LQ_DFN8X8B_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8B 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：ID:37A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:94mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有37A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，导通电阻为94mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。器件利用碳化硅材料特性，在高频、高效率电力转换场景中表现出优异的开关性能与热稳定性，适用于对能效和功率密度有较高要求的电源系统，如服务器电源、可再生能源逆变器及高频率开关电源等应用场合。
