NVH050N65S3F-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:58mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的连续漏极电流能力，最大漏源电压为650V，导通电阻典型值为58mΩ，在栅源电压范围-10V至@5V内稳定工作。得益于碳化硅材料特性，器件在高频开关条件下仍能保持较低的导通与开关损耗，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换系统。其低RDS(on)有助于减小导通压降，提升整体能效，同时宽VGS范围增强了驱动兼容性与可靠性。
