SCTWA35N65G2V-4-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:55A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备55A的漏极电流能力与650V的漏源击穿电压，导通电阻为45mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。其结构利用碳化硅材料的高击穿场强和低导通损耗特性，在高频开关应用中表现出优异的效率和热稳定性，适用于服务器电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统中的功率转换环节。
