IV2Q06025T4Z_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，最大漏极电流ID达99A，漏源击穿电压VDSS为650V，导通电阻RDS(ON)低至26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件凭借碳化硅材料的特性，在高频、高压工作条件下展现出优异的开关性能与导通效率，适用于对能效和功率密度要求较高的电力转换场景，可有效降低系统损耗并提升整体运行稳定性。
