IPZA65R029CFD7XKSA1-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:99A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有99A的连续漏极电流、650V的漏源击穿电压和26mΩ的导通电阻，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件利用碳化硅材料特性，在高频开关应用中展现出低损耗与高效率优势，适用于对功率密度和热性能有较高要求的电源系统。其宽栅压范围提升了驱动电路的适应性，低导通电阻有助于降低传导损耗，从而支持更紧凑、高效的电力转换架构。
