FF06030J-7A-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：ID:73A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:26mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具有73A的漏极电流额定值，漏源击穿电压为650V，导通电阻为26mΩ，栅源驱动电压范围为-10V至@5V。器件采用碳化硅材料，具备低导通损耗与优异的高温工作能力，适用于高效率、高开关频率的电源转换场合，如通信电源、光伏逆变系统及大功率充电设备等，在提升系统整体能效与功率密度方面具有显著优势。
