SCT3080ALHRC11-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:36A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:75mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET具备36A的连续漏极电流能力，漏源电压额定值为650V，导通电阻为75mΩ，栅源电压工作范围为-8V至@0V。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与高热导率特性，在高频开关条件下可实现较低的导通与开关损耗。适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源系统，如服务器电源、光伏逆变器及高频DC-DC转换器等场合，能够在严苛电气环境下保持稳定运行。
