STW77N65M5-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:70A 参数2：VDSS:650V 参数3：RDON:44mR 参数4：VGS:-8/+20V 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该碳化硅场效应管为N沟道结构，额定漏极电流ID为70A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDS(ON)典型值为44mΩ，栅源驱动电压范围为-8V至@0V。器件采用碳化硅材料，具备高耐压、低导通损耗及优异的高频开关特性，适用于对效率和功率密度要求较高的电力转换系统。其宽栅压范围提升了驱动兼容性，同时低导通电阻有助于减少导通损耗，提升整体能效表现。
