G3F25MT06K-HXY_TO-247H-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：ID:108A 参数2：VDSS:750V 参数3：RDON:20mR 参数4：VGS:-10/+25V 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
该N沟道碳化硅MOSFET的连续漏极电流为108A，漏源击穿电压为750V，导通电阻为20mΩ，栅源电压工作范围为-10V至@5V。器件基于碳化硅工艺，具备低导通损耗与高耐压能力，适用于高频、高效率的电源转换系统。其电气特性支持在严苛电气环境下稳定运行，可用于对体积、散热和能效有较高要求的电力电子应用中。
